盡管NVIDIA CEO黃仁勛已經悲觀方言，摩爾定律已死，但對于臺積電、三星和Intel三大晶圓廠來說，他們在納米尺度的芯片微縮步伐尚未停歇。
日前，三星在修訂的路線圖中首次公布了1.4nm工藝節點，并計劃2027投產。
與此同時，三星也決定在2025年投產2nm工藝，大致和臺積電同步。
實際上，三星此前已經宣布開始生產3nm GAA晶體管結構的芯片，雖然外界質疑首批產品只是被礦機廠商們當“小白鼠”嘗鮮。
至少和Intel相比，三星的進度并不超前，后者的18A工藝(相當于2nm)已經提前到2024年底投產。
其它工藝方面，三星接下來想把3nm(預計第二代)擴展到高性能計算和移動芯片上，同時為高性能計算以及汽車芯片開發專門的4nm制程。
此外，還有服務射頻器件的5nm和8nm工藝，服務嵌入式非易失存儲器(eNVM)的8nm、14nm以及28nm工藝等。
按照三星的說法，他們希望在2027年前將芯片產能提升3倍。
